| 失效分析技术 | 表征范围 | 失效类型 |
| OM | 表面形貌和界面平坦性 | 欧姆接触点失效 [19] [20] |
| SEM | 表面形态、电势和材料密度 | 栅漏极裂纹、损坏 [22] [23] |
| TEM | 高分辨率表面形貌、晶体分析 | 栅极界面腐蚀、位错空穴 [48] [49] |
| EL | 定位泄露路径和失效位置 | 缓冲层分流、界面退化 [25] [26] [27] [28] |
| LIT | 定位缺陷位置、检测局部热量 | 泄露电流、电阻率增大 [31] [32] |
| CL | 识别陷阱类型、定位缺陷分布 | 外延层杂质、电子结构变化 [35] |
| DLTS | 检测缺陷能级和陷阱浓度 | 少数载流子陷阱变化 [39] |
| FIB | 结构和失效界面探究 | 栅极引脚缺失、点蚀 [42] [43] |
| EDS | 成分定性和定量分析 | 栅漏极击穿、腐蚀 [53] [54] |