门极电压

GaN晶体管

Si MOSFET

IGBT

SiC MOSFET

最大值

−10/+7 V

+/−20 V

+/−20 V

−8/+20 V

推荐门极电压

0或−3/+5~6 V

0/+10~12 V

0或−9/+15 V

−4/+15~20 V