门极电压
GaN晶体管
Si MOSFET
IGBT
SiC MOSFET
最大值
−10/+7 V
+/−20 V
−8/+20 V
推荐门极电压
0或−3/+5~6 V
0/+10~12 V
0或−9/+15 V
−4/+15~20 V