| 材料 | 熔点(℃) | 蒸发温度(℃) | 蒸发方法 | 折射率 | 吸收消光系数 |
| Si | 1420 | 1500 | 电子束蒸发 | 3.4 (3 µm) | 1.7 × 10−4 (2.7 µm) |
| SiO2 | 1700 | 1600 | 电子束蒸发 | 1.45~1.46 (0.55 µm) | 7.7 × 10−4 (0.35 µm) 2 × 10−6 (1 µm) |
| TiO2 | 1850 | 2000 | 电子束蒸发 反应蒸发 | 1.9 (0.55 µm, 30˚C) 2.3 (0.55 µm, 22˚C) | 7.5 × 10−4 (0.5 µm) 2.5 × 10−4 (1 µm) |
| MgF2 | 1266 | 1540 | 电阻加热 电子束蒸发 | 1.38 (0.55 µm) | 9 × 10−6 (0.5 µm) 6 × 10−6 (1 µm) |
| Al2O3 | 2020 | 2100 | 电子束蒸发 电阻蒸发 | 1.54 (0.55 µm, 40˚C) 1.62 (0.55 µm, 300˚C) | 2.3 × 10−3 (0.515 µm) 8 × 10−3 (1.06 µm) |
| Ta2O5 | 1800 | 2100 | 电子束蒸发 反应蒸发 | 2.16 (0.55 µm, 250˚C) | 8 × 10−3 (0.3 µm) 1 × 10−3 (0.6 µm) |