晶体结构

平均Ti-O键长度(Å)

Y-O_2c键的平均键长度(Å)

吸附能(eV)

Ti离子Hirshfeld 电荷(e)

计算功函数值(eV)

Ti-O键的平均电荷布局(e)

纯表面结构

1.838

—

—

0.620

7.52

0.450

吸附结构

2.012

2.265

-5.83

0.535

4.33

0.268