掺杂元素

掺杂位置

掺杂后的能带宽度

对g-C₃N₄的影响

Ni [32]

有效地掺入到g-C₃N₄结构中，层间的形成了N-Ni-N配位，层与层之间的以电子存在

2.67 eV

(纯g-C₃N₄的能带宽度为2.7 eV)

1) 未改变g-C₃N₄纳米片的微观形貌

2) 降低了g-C₃N₄结晶度

K [34]

均匀地掺杂g-C₃N₄间隙位点面内

2.52 eV

(纯g-C₃N₄的能带宽度为2.7 eV)

g-C₃N₄晶体生长受阻，形成了二次粒子，钾的电子可转移至N的位点

Fe [35] [36]

Fe以离子的形式掺杂到g-C₃N₄骨架中

2.7 eV

(文中g-C₃N₄能带宽度为2.75 eV)

Fe掺杂后改善了g-C₃N₄团聚现象，有利于晶粒细化，抑制电子空穴复合；Fe掺杂过多会占据其表面活位点，降低电荷分离

Cu [37]

Cu以离子形式插入间隙位置，形成了Cu(I)-N键

2.56 eV

(纯g-C₃N₄的能带宽度为2.7 eV)

层状的g-C₃N₄自组装成花状

Mo [38]

根据掺杂量不同，Mo掺杂到g-C₃N₄晶格内或是以Mo⁶⁺形式掺杂到g-C₃N₄的大型C-N环内

2.65 eV

(文中g-C₃N₄能带宽度为2.69 eV)

未改变g-C₃N₄的整体结构，但改变了其电子结构

Eu [39]

Eu阳离子掺入到g-C₃N₄晶相中

2.43 eV

(文中g-C₃N₄能带宽度为2.79 eV)

g-C₃N₄为空心灯笼状