薄膜类型

透过率(%)

禁带宽度

(ev)

电导率

(S∙cm⁻¹)

载流子浓度(cm⁻³)

迁移率

(cm²∙V⁻¹∙s⁻¹)

参考文献

Ga₂O₃

85

4.9

7.6

-

-

[33]

Si: Ga₂O₃

-

>5.3

-

-

-

[28]

Si: Ga₂O₃

-

-

0.09

8.3 × 10¹⁸

0.07

[34]

Sn: Ga₂O₃

80

-

1

1.4 × 10¹⁹

0.44

[27]

Sn: Ga₂O₃

80

-

8.2

-

<0.44

[35]

Cu: Ga₂O₃

>65

>5.6

-

-

-

[25]

Mg: Ga₂O₃

-

4.68

-

-

-

[32]

Ta: Ga₂O₃

>95

-

-

1.12 × 10¹⁷

11.9

[29]

Ta: Ga₂O₃

-

-

11.2

2.4 × 10¹⁹

2.47

[36]

Ta: Ga₂O₃

-

-

0.07

2.53 × 10¹⁸

0.025

[37]