薄膜类型

制备方法

响应度(A/W)

暗电流(A)

光暗电流比

参考文献

Ga₂O₃

分子束外延

3.7 × 10⁻²

10⁻⁹

-

[43]

Ga₂O₃

磁控溅射

1.19 × 10⁻³

10⁻¹²

10⁵

[14]

Ga₂O₃

分子束外延

-

10⁻¹¹

10²

[44]

Ga₂O₃

分子束外延

-

10⁻⁷

15

[45]

HB-Ga₂O₃

磁控溅射

-

1.2 × 10⁻⁸

4 × 10¹

[18]

Zn: Ga₂O₃

化学气相沉积

2.1 × 10²

10⁻¹¹

5 × 10⁴

[46]

Sn: Ga₂O₃

-

3.05

10⁻¹¹

10⁴

[47]

Sn: Ga₂O₃

化学气相沉积

3.61 × 10⁻²

10⁻⁸

19

[48]

Sn: Ga₂O₃

分子束外延

9.6 × 10⁻²

10⁻⁹

1.4 × 10²

[49]

Al: Ga₂O₃

分子束外延

1.5

-

-

[50]

Si: Ga₂O₃

化学气相沉积

6 × 10¹

-

9

[48]

Si: Ga₂O₃

化学气相沉积

3.6 × 10¹

-

9

[51]

Nb: Ga₂O₃

磁控溅射

-

2 × 10⁻¹⁰

2.5 × 10²

[30]