方法			MAX相	生成条件	原理	端基	优缺点
自上而下	含氟刻蚀法	HF刻蚀法	大部分A原子层为Al的MAX	浓HF	氟离子对前驱体MAX相中A层原子形成氟化物	-OH、-O、-F	缺点：强腐蚀性、有毒；优点：大规模生产
		原位形成HF刻蚀法		酸 + 他氟酸盐，如H₂SO₄、HCl、LiF、NaF、KF、NH₄F和FeF₃		-F、-OH、-O和-SO₄	缺点：刻蚀范围和产率有限；优点：毒性低、腐蚀性弱
		原位形成HF刻蚀法		双氟酸盐：NaHF₂和KHF₂、NH₄HF₂		-OH、-O、-F	缺点：刻蚀范围和产率有限；优点：毒性低、腐蚀性弱
		含氟熔融盐刻蚀法	大多数A层非Al的MAX相或氮化物MXA相	氟易熔盐(如KF、LiF及NaF)高温		-F、-O等	缺点：温度高、亲水性较差；优点：可获取氮化物
	无氟刻蚀法	电化学刻蚀法	大部分A原子层为Al的MAX	电解液中的Cl⁻	在电解液中施加电压进行电化学反应，选择性去除A原子层	-Cl、-OH、-O等	缺点：难以收集，产率大大降低，纯净度不高优点：电解质引入一些所需的功能性基团
		碱刻蚀法		与NaOH溶液在高温下进行水热反应	将MAX的Al原子层转化为Al(OH)₃，然后在碱性介质中溶解	-O和-OH	缺点：高温和高碱浓度优点：具有良好的亲水性，并且避免了卤素端基的引入
		路易斯熔融盐刻蚀法		反应温度，能耗高	高的电化学氧化还原电位较低的MAX相	-Cl、-Br和-I	缺点：剥离为单片层的MXene困难优点：端基可调、较好普适性和较高操作安全性
自下而上	-	化学气相沉积(CVD)法	——	高温下将甲烷或氨气中的碳或氮源与过渡金属原子反应，生成高质量的MXenes晶体。	通过精确调节生长条件，可以影响成核生长过程，进而控制MXenes晶体的形态、厚度、尺寸以及异质结空间取向等关键参数。	可调	缺点：通常收率低，对设备要求高；优点：可控制薄膜的成分、厚度和形貌。
自下而上	-	离子喷溅法	——	离子束轰击目标材料表面并产生溅射原子，进而形成薄膜的技术。	用低能重离子(LEIF)轰击靶靶的离子束装置轰击Ti和C，得到由单个相组成的重复纳米层。	可调	缺点：通常收率低，对设备要求高；优点：可控制薄膜的成分、厚度和形貌。