样品编号

氧化条件

椭偏仪膜厚测试

离子注入条件

激活退火条件

A

Wetoxidation，1050˚C，6 h

Si face：

40 nm ± 5 nm；

Cface：

380 nm ± 5 nm

Fion：

25 KeV 5E13 cm⁻²

w/o

B

500˚C，2 min

C

700˚C，2 min

D

900˚C，2 min

E

1100˚C，2 min