序号

IPC分类号(小类)

专利数量

1

B82Y (纳米结构的特定用途或应用；纳米结构的测量或分析； 纳米结构的制造或处理[2011.01])

2296

2

C01B (非金属元素；其化合物(制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B))

1284

3

H01L (半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件(使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类) [2] )

1030

4

H01M (用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组 [2] (一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L31/00，H01L35/00，H01L37/00) [2] )

705

5

H01B (电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择(磁性材料的选择入H01F1/00； 波导管入H01P))

673

6

C23C (对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆(挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04) [4] )

598

7

B82B (通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合而形成的纳米结构；其制造或处理 [7] )

328

8

B01J (化学或物理方法，例如，催化作用或胶体化学；其有关设备 [2] )

249

9

H01G (电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件(电介质专用材料的选择入H01B3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L29/00))

249

10

B32B (层状产品，即由扁平的或非扁平的薄层，例如泡沫状的、蜂窝状的薄层构成的产品)

205