| 年份 | 制备技术 | 衬底 | 温度 | 塞贝克系数 | 功率因子 |
| 2016年 [8] | 反应蒸发法 | 玻璃 | 42 K | 7863 μV/K | 7.2 × 10−4 μWm−1K−2 |
| 2017年 [2] | 脉冲激光沉积技术 | Si | 478 K | 498.5 μV/K | 18.5 μWm−1K−2 |
| 2017年 [9] | 热共蒸发法 | 硼硅玻璃 | 773 K | / | / |
| 2018年 [3] | 热蒸发法 | BK7玻璃 | 673 K | 209 μV/K | 21 μWm−1K−2 |
| 2018年 [10] | 热蒸发法 | 玻璃 | 375 K~450 K | / | 0.08 Wm−1K−1 |
| 2019年 [4] | 磁控溅射技术 | 熔融石英 | 700 K | 100 μV/K | 1.3 μWm−1K−2 |
| 2020年 [11] | 热蒸发法 | MgO | 550 K | 400 μV/K | 3.74 μWm−1K−2 |
| 2020年 [5] | 电子束热蒸发法 | 玻璃 | 723 K | / | / |
| 2020年 [6] | 磁控溅射技术 | Si | 723 K | / | / |
| 2021年 [7] | 磁控溅射技术 | Si/SiO2 | 573 K | 450 μV/K | 1.25 μWm−1K−2 |
| 2021年 [12] | 脉冲激光沉积法 | STO | 573 K | −250 μV/K | 0.3 μWm−1K−2 |
| 2021年 [13] | 喷雾热解法 | 玻璃 | 523 K~648 K | / | / |
| 2022年 [14] | 电沉积和溶剂热 | FTO | / | / | / |