材料类型

禁带宽度

E_g (eV)

电子迁移率

_n (cm²/V∙s)

临界击穿电场

E_c (MV/cm)

电容率

_s (F/cm)

热导率

k (W/cm∙K)

Si

1.1

1350

0.3

11.8

1.5

3C-SiC

2.2

900

1.2

9.7

4.5

4H-SiC

3.26

1190c

950a

2.2

9.7

4.5

6H-SiC

3.0

370c

420a

2.4

9.7

4.5