Step No.

工艺模块

工步名称

工艺要求

1

清洗

Pre-clean

RCA标准清洗

2

氧化

热氧化

Oxide-50 nm

3

薄膜

CVD

Poly-Si 500 nm

4

注入

离子注入IMP

常温磷P注入60 keV,3e16 cm−2

5

炉管

退火

900℃推结

6

光刻

涂胶曝光

\

7

刻蚀

多晶硅刻蚀

\

8

清洗

去除光刻胶

3#液去胶