Step No. | 工艺模块 | 工步名称 | 工艺要求 |
1 | 清洗 | Pre-clean | RCA标准清洗 |
2 | 氧化 | 热氧化 | Oxide-50 nm |
3 | 薄膜 | CVD | Poly-Si 500 nm |
4 | 注入 | 离子注入IMP | 常温磷P注入60 keV,3e16 cm−2 |
5 | 炉管 | 退火 | 900℃推结 |
6 | 光刻 | 涂胶曝光 | \ |
7 | 刻蚀 | 多晶硅刻蚀 | \ |
8 | 清洗 | 去除光刻胶 | 3#液去胶 |