结构名称 | 材料组份 | 尺寸/μm(长 × 宽 × 高) | 热导率(W/m∙K) |
p型电极层 | Ti-Au | 1200 × 45 × 0.2 | 150 |
欧姆接触层 | p-InGaN | 1200 × 45 × 0.04 | 190 |
上限制层 | p-AlGaN/GaN | 1200 × 45 × 0.6 | 262 |
电子阻挡层 | p-AlGaN | 1200 × 300 × 0.02 | 272 |
上波导层 | p-InGaN | 1200 × 300 × 0.1 | 257 |
有源区 | InGaN/GaN | 1200 × 300 × 0.033 | 258 |
下波导层 | n-InGaN | 1200 × 300 × 0.12 | 254 |
下限制层 | n-AlGaN | 1200 × 300 × 1 | 265 |
衬底缓冲层 | n-GaN | 1200 × 300 × 50 | 260 |
焊料 | AuSn | 1200 × 300 × 5 | 57 |
n型电极层 | Ti-Au | 1200 × 600 × 0.2 | 150 |
过渡热沉 | AlN | 1500 × 600 × 100 | 200 |
热沉 | Cu | 1800 × 900 × 600 | 398 |