晶体

尺寸

掺杂浓度

镀膜

Nd:YVO₄晶体(c切)

3 mm × 3 mm × 20 mm

0.3-at.%

AR@1060~1180 nm (R < 0.5%)

HT@入射面808 nm (T > 97%)

声光调Q晶体

30 mm

-

-

Nd:GdVO₄晶体(c切)

3 mm × 3 mm × 15 mm

0.3-at.%

HT@输入面808 nm (T > 95%)

AR@1060~1180 nm (R < 0.5%)