物理量

符号/单位

参数值

温度

T/K

300

硅禁带宽度

E_g,Si/eV

1.12

氧化硅禁带宽度

E_g,ox/eV

9.0

硅相对介电常数

ε_Si

11.9

氧化硅相对介电常数

ε_ox

3.9

硅导带有效状态密度

N_c/cm⁻³

2.8 × 10¹⁹

硅价带有效状态密度

N_v/cm⁻³

1.1 × 10¹⁹

硅电子有效质量

$m_n^{*}$

1.18m₀ [13]

硅空穴有效质量

$m_p^{*}$

0.81m₀ [13]

氧化硅电子有效质量

m_e,ox

0.50m₀ [13] [14]

氧化硅空穴有效质量

m_h,ox

0.32m₀ [15]

衬底单晶硅掺杂浓度

N_d,csi/cm⁻³

5 × 10¹⁵

间接复合寿命最大值

τ_max/ms

7 [16]