制备技术

化学气相沉积法(CVD法)

氧化还原法

制备原理

利用高温下含碳气源分解后碳原子溶解到金属催化剂(如铜或镍)箔片或薄膜中，在快速降温过程中碳原子从催化剂金属中析出从而在其表面形成石墨烯薄膜。

氧化还原法是将天然石墨经过强质子酸和氧化剂处理之后生成氧化石墨，之后在纯水或者有机溶剂中超声形成分散良好的氧化石墨烯，最后通过热还原、化学还原或者电还原等方法去除含氧基团

技术特点

优点：具有成本低廉及工艺重复性好等优点，而且能得到大面积、质量好、晶格结构完整的石墨烯；

缺点：石墨烯和金属基底分离困难，分离后石墨烯表面有机分子污染、出现缺陷等问题。

优点：具有成本低廉、效率高、产量大等优点；

缺点：由于含氧官能团的介入，导致产物纯度不够，混杂着各类衍生物，物理性能相对较差。

制备条件

碳气源选择、载气控制、气压与温度控制、金属催化剂基底选择、反应炉、基底刻蚀、产物转移等。

反应温度、反应时间、氧化剂选择、氧化剂含量、还原剂选择、还原剂含量等。

应用领域

在光电器件、微电子、触摸屏、透明导电薄膜等领域有重要应用前景。

在复合材料、导热导电领域有重要应用前景。