| 序号 | 工艺变化 | 性能变化 | 原因 |
| 1 | 低的溅射功率 | 表面粗糙，载流子浓度低 | 薄膜缺陷增多 [16] |
| 2 | 氩气压强增大 | 生长速率先降后微升 | 氩气压强增大，溅射原子由于与氩离子碰撞次数增多， 动能降低，导致生长速率降低；压强进一步增大， 导致二次电子发射增强，溅射能力加强，生长速率微升 [17] |
| 3 | 氧气流量 从零增加 | 氧气流量为0时，电阻高，通氧后降低， 然后随氧量增加，电阻率升高 | 氧量为0时，形成部分深能级氧空位， 对载流子起陷阱作用；随氧量增加，氧空位减少，电阻升高 [18] |
| 透过率升高 | 深能级的氧空位对光子有吸收作用，会降低透过率 [18] | ||
| 4 | 膜厚减小 | 开启电流提高，阈值电压增加 | 薄膜厚度减小，薄膜内的陷阱密度减小， 载流子的散射效应减小 [19] [20] [21] |