序号

工艺变化

性能变化

原因

1

低的溅射功率

表面粗糙,载流子浓度低

薄膜缺陷增多 [16]

2

氩气压强增大

生长速率先降后微升

氩气压强增大,溅射原子由于与氩离子碰撞次数增多, 动能降低,导致生长速率降低;压强进一步增大, 导致二次电子发射增强,溅射能力加强,生长速率微升 [17]

3

氧气流量 从零增加

氧气流量为0时,电阻高,通氧后降低, 然后随氧量增加,电阻率升高

氧量为0时,形成部分深能级氧空位, 对载流子起陷阱作用;随氧量增加,氧空位减少,电阻升高 [18]

透过率升高

深能级的氧空位对光子有吸收作用,会降低透过率 [18]

4

膜厚减小

开启电流提高,阈值电压增加

薄膜厚度减小,薄膜内的陷阱密度减小, 载流子的散射效应减小 [19] [20] [21]